概述及拆解介绍

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NAND闪存在1987年由日本东芝半导体股份有限公司存储器事业部的舛冈富士雄博士发明，目前NAND闪存被广泛应用于众多存储卡和电子设备中。NAND闪存市场发展迅速，闪存也逐渐成为国际标准的存储设备。

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东芝作为闪存世界的缔造者，拥有极雄厚的技术实力和值得信赖的品质， 却对打造零售市场品牌的动作较为缓慢。直到2013年初，东芝终于将旗下原OEM型号为HG5的第五代主控SSD系列产品推出了零售版包装，取名为Q（Quark）系列，Q系列SSD随着东芝闪存工艺的换代也在同步更新，2013年中旬后的新版Q系列SSD已经变成了HG5d版，随后到2014年初东芝主控整体更新为第六代，零售版型号则取名为Q Pro系列（对应OEM型号为HG6x），2014年中旬后东芝闪存工艺再次过渡到A19nm，也是本次我测试的新版Q Pro系列（对应OEM型号为HG6y）。

从图中我们可以看到新版Q Pro系列一共是128GB/256GB和512GB共3种容量，官标持续读写性能完全一样，随机读写的差距也较微弱，理论上用户完全可根据自己需求的容量考虑，不用担心常见的SSD小容量性能表现会较差的情况。

包装盒内除了SSD本身外，有缓冲袋（防止暴力快递，真的很贴心啊），7mm转9.5mm的转换架，快速安装手册，3年保修的手册，免费的NTI Echo数据迁移软件可以从东芝官网下载到。

SSD正面标签，不华丽，感觉简单大气上档次。

SSD背面标签信息基本都全了，固件版本，生产日期，菲律宾制造。

拆开螺丝后看到背部PCB，什么元件都没有嘛，不过蓝色PCB我喜欢。

放大，继续准备拆4个固定螺丝

正面主要元件上都有散热垫紧贴外壳增强散热

涂点硅脂上去再擦掉，终于能看清主控和颗粒型号了。

东芝Q Pro的主控型号为TC358790XBG，采用的是Marvell License IP，经过针对自己生产的闪存调校后在TSMC进行低功耗40nm，7Layers流片并投产。可以说这颗主控是有Marvell血统，但是确确实实的东芝主控，之前的Q系列采用的是TC58NC5HA9GST-A2P（初期）和TC58NC5HA9GST-A3P（后期）主控，主要区别是A3P比A2P多了DevSleep支持，也是在TSMC进行的流片投产。从上图中可以看到主控拥有8根闪存通道，4-Way交错，也就是32CE，可以支持外置DDR缓存（只是东芝不一定用而已）

TC58NC5HA9GST的原型基于Marvell 88SS9187，而TC358790XBG的原型基于Marvell 88SS9189，为什么这么说呢？看如下图：

这是本站精英玩家einstein86之前Toshiba东芝Q series SSD测试中的图片，帖子链接：http://bbs.pceva.com.cn/thread-97247-1-1.html

他这张图里3块PCB，其中左边和右边是旧版Q Pro系列SSD，而中间的为新版Q系列SSD。可以看到虽然缓存位置没有焊接元件，但是预留的焊点是有区别的，Q Pro系列SSD是低电压版的焊点，而Q系列的是正常的焊点。

参照美光M500DC(Marvell 88SS9187)和M600(Marvell 88SS9189)上缓存的样子即可知道主控的区别了。

顺便转一张以前中关村在线测试用的图，可以看到只有新版88SS9189支持低电压版缓存。

东芝Q Pro 256GB SSD采用的闪存型号为TH58TEG8DDKBA8C

这是Chipworks网上显示的Die Mark，Toshiba A19nm 64Gb MLC，支持Toggle 2.0接口400MT/s，ECC基本要求为40bit/1KB，Page尺寸16KB，Block包含256个Page等于4MB，2个Plane。256GB的SSD由8个颗粒组成，每个颗粒内部是4个Die，32GB单颗。